数据列表：SPD,SPP15P10P G

标准包装：500

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 单

系列：SIPMOS®

包装：管件

FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压（Vdss）：100V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：15A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：240 毫欧 @ 10.6A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.1V @ 1.54mA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：48nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：1280pF @ 25V

功率 - 最大值：128W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-220-3

供应商器件封装：PG-TO220-3

其它名称：SP000212313SPP15P10PGHKSA1